ASML首个High-NA EUV光刻系统 花落英特尔

12月21日，荷兰半导体设备制造商ASML表示，已经向英特尔交付首个High NA（高数值孔径）EUV（极紫外）光刻系统。据悉，组装为设备的High-NA EUV光刻机需要13个货柜、250个板条箱进行运输，预计于2026年或2027年投入商用芯片的制造。

早在今年九月，ASML就公开表示将于年底推出业界首款High NA EUV光刻机。相较目前0.33数值孔径的EUV光刻机，High-NA EUV光刻机的数值孔径提升至0.55，可以成比例地提高可实现的临界尺寸——从0.33NA系统的13nm提升到0.55NA系统的8nm，从而进一步提升光刻分辨率，以支持2nm制程及以下工艺的芯片制造。因此，High NA EUV光刻机被业界视为实现尖端芯片量产的关键设备。

记者从ASML官网获悉，ASML组装了两个TWINSCAN EXE:5000高数值孔径光刻系统。其中一个由ASM与imec合作开发，将于2024年安装在ASML与imec的联合实验室中，预计2025年投入量产。另一个由英特尔在2018年订购，时隔5年完成交付。

12月15日，英特尔发布了首款基于Intel 4 制程工艺打造的初代酷睿Ultra 移动处理器，这也意味着英特尔“四年五个制程节点”的目标正在按照计划推进。2021年，英特尔正式提出“IDM 2.0”战略，宣布加大对先进制程工艺和晶圆厂建设的投资力度，打造世界一流的英特尔代工服务；同年，英特尔公布“四年五个制程节点”计划，预计将在四年内完成Intel 7、Intel 4、Intel 3、Intel 20A和Intel 18A五个制程节点的开发，力争在2025年重新确立在半导体行业的领先地位。在Intel 4实现量产后，英特尔计划在Intel 3节点进一步增加对EUV技术的使用，以实现约18%的每瓦性能提升。Intel 20A和Intel 18A预计在每瓦性能上分别较上一个节点提升约10%。

据了解，英特尔会将High-NA EUV光刻设备应用于Intel 18A 工艺的开发和验证中。英特尔在关键设备取得先手优势，使其在与台积电、三星围绕先进制程的竞争中获得了更多筹码。但2nm及以下制程代工格局的走向，还要看三大玩家在后续的量产和良率提升中有何表现。