改良西门子法仍将维持主导地位

未来10年-20年，能源总量的10%%将由新能源构成，新能源的50%%将由硅太阳能光伏发电构成，届时，全球多晶硅年需求量将达300万吨。到2010年，全世界多晶硅总产能还不足25万吨。
目前，国际上还没有一个针对太阳能级多晶硅的标准。从原材料质量上讲，光伏用多晶硅的纯度应大于7个9(即99.99999%%)。个人建议，太阳能级多晶硅的生产，其施主杂质(P)浓度应小于2ppba，受主杂质(B)浓度应小于1ppba，碳浓度应小于1ppma，金属杂质(Fe、Ni、Cr、Na)合计的浓度应小于10ppbw，少子寿命应大于200μs。未来光伏电池将向薄片化、多结、大片化发展，其要求也会越来越高。
当前，多晶硅生产的主要工艺技术包括改良西门子法、硅烷法、流化床法、VLD(气液沉积)法和冶金物理提纯法。其中，改良西门子法是实现物料闭环生产的规模化成熟技术，也是目前全球多晶硅生产的主流技术。硅烷法生产独立性强，不需要制氢设备及其他辅助设备，生产过程对设备腐蚀性小；硅烷热分解温度低，约为600℃-800℃，因此能耗较低；另外，硅烷法生产粗硅利用率可达60%%-80%%，硅烷热分解转化率高达95%%，同时，其产品纯度也高；不过，硅烷法生产的安全稳定性较差，生产管理难度大。利用流化床法生产多晶硅，由于硅粉表面极大，沉积速度很快，大大提高了生产效率，同时降低了能耗，而粒状硅也为连续加料拉晶创造了很好的条件；使用该工艺的缺点是设备磨损大，金属杂质含量高。VLD法生产多晶硅的优点是沉积速度比传统方法高10倍，其生产成本低于其他方法，但规模化反应器的研究还有待突破，产品质量也有待改进。应该看到，改良西门子法在未来较长时间仍将占据多晶硅生产的主导地位，并将继续完善。