恩智浦将推出50种采用SiGe:C BiCMOS工艺射频微波产品

本报讯 恩智浦半导体(NXP Semiconductors)近日宣布推出一系列采用最新SiGe(硅锗)工艺技术开发、针对高频无线电应用的新产品，旨在满足行业对更强大、高性价比和高集成度硅基技术日益增长的需求。恩智浦将在2010年底前推出超过50种采用SiGe:C技术的产品，其QUBiC4 SiGe:C工艺技术可提供高功率增益和优良的动态范围，专为满足现实生活中无线、宽带通信、网络和多媒体市场领域的高频应用需要而设计。2010年5月25日至27日在加利福尼亚州阿纳海姆举行的“2010年IEEE MTT-S国际微波年会”上，恩智浦将会展示其高性能射频解决方案。

恩智浦目前已有10多种硅锗产品上市，采用其QUBIC4技术开发并售出的射频产品已超过2500万件。此销售业绩彰显了恩智浦QUBIC4工艺的技术成熟度以及行业对SiGe:C工艺实现GaAs技术性能的认可度。

恩智浦半导体射频小信号业务总经理Ronald van Cleef先生表示：“作为射频技术和器件设计领域的全球领导者之一，恩智浦致力于SiGe:C技术的产品开发，适应射频、微波市场的飞速发展。我们将借助采用硅基工艺，努力为市场提供具有砷化镓(GaAs)技术的性能、高性价比、高集成度的高频解决方案。”

恩智浦创新的高性能SiGe:C QUBiC4工艺可以让无线设备制造商增加更多设备功能，同时更节省空间、更节约成本、性能更可靠以及制造更方便。QUBiC4技术加快了从GaAs技术向硅芯片技术的转移速度，实现了高技术含量,低噪声特性和IP可用性。恩智浦提供了三种不同的QUBiC4工艺：QUBiC4+，针对小于5GHz应用的硅基工艺，如中功率放大器;QUBiC4X，一种0.25µm SiGe:C工艺，大约6年前推出，常用于高达30GHz和极低噪声应用，如GPS;以及最新推出的0.25µm QUBiC4Xi SiGe:C工艺，特征频率(Ft)超过200GHz，特别适合30GHz以上以及要求极低噪声系数的应用，例如VSAT和雷达应用。

恩智浦的QUBiC4 SiGe:C技术拥有量产所需的完善IP和先进的内部制造工艺，可以提高整体射频性能，降低器件成本，同时提供比砷化镓(GaAs) 技术更高和更灵活的性能。凭借超过45年在射频建模、设计和封装方面的丰富经验，恩智浦的QUBiC4技术将砷化镓(GaAs)技术的高性能与硅基工艺的可靠度完善溶合在一起。随着高速数字数据传输和无线通信技术的持续发展，恩智浦的QUBiC4技术将推动传统的砷化镓(GaAs)技术解决方案不断向前发展，实现更低成本、更高集成度和更多功能，同时满足低功耗需求。

基于QUBiC4技术的产品涵盖移动平台、个人导航设备、有源相控阵雷达、卫星DBS/-VSAT、电子计量、软件无线电(SDR)技术、基站、点对点无线链路以及无线局域网WLAN等广阔领域，这些都是高频和高集成度至关重要的领域。终端用户的受益之处则在于手机变得更小巧,更轻便而功能却不断增加。

上市时间

2010年底之前将有50多种采用SiGe:C工艺的恩智浦产品面市，其中十多种产品已经上市，包括GPS低噪声放大器，如BGU7005;中等功率放大器，如BGA7124 ;以及本振(LO)发生器，如TFF1003HN。

其他40种新产品将在5月和年内陆续发布，包括全新的第6代和第7代宽带晶体管、低噪声放大器、中等功率放大器、可变增益放大器和本振(LO)发生器等。