国内首款6500V IGBT芯片研制取得突破性成果

(上海，中国—2011年9月8日)世界领先的纯晶圆代工厂之一，上海华虹NEC电子有限公司(以下简称“华虹NEC”)今日宣布，公司与其技术合作伙伴中国科学院微电子研究所(以下简称“微电子所”)通力合作，开发的6500V Trench FS IGBT(沟槽类型场终止绝缘栅双极晶体管)取得了阶段性的突破，标志着国内自主高压高功率IGBT芯片从设计研制到工艺开发的整体贯通又上了一个新的台阶。

IGBT作为新型的电力电子核心器件，广泛应用于关系国计民生的诸多重要领域。根据不同应用领域的需求，IGBT产品往往以阻断电压等级进行划分，其中6500V系列是目前市场应用中电压等级最高，同时也是技术最难的的产品,全球只有极个别少数国外厂商拥有。华虹NEC拥有成熟先进的高压分立器件制造技术，联合战略合作伙伴中科院微电子所，致力于推动国产IGBT开发及产业的快速发展。双方密切合作，由微电子所自主设计器件元胞和终端结构，由华虹NEC开发关键单项工艺及工艺整合,采用当前国际上最先进的器件结构与工艺--Trench gate(槽型栅)结合Field Stop(场截止，简称FS)技术，首次流片结果显示阻断电压已达到了7100V以上，完全符合最初的设定目标。华虹NEC的领先Trench技术，在沟槽的形貌、光滑度和填充等方面处于世界领先地位，工艺性能稳定，可靠性高，并有超过两百万片8寸晶圆的生产经验。此次流片结果证明了超高压沟槽栅IGBT的可行性(国外6500V系列产品均采用平面栅结构)，同时说明了华虹NEC制造工艺尤其Trench技术的高超技艺。这次产、学、研合作的阶段性成果对于发展我国超高压高端分立器件，并满足高端电力电子器件的需求做了一个的很好的注解。

中科院微电子研究所科技处长王文武研究员说：华虹NEC作为生产功率分立器件的领先企业，拥有成熟先进的工艺条件和多年生产8英寸功率分立器件的丰富经验，我们的高压高功率IGBT产品基于华虹NEC的工艺平台开发是正确的选择。微电子所致力于国产自主IGBT产品的研制，相关产业化公司正在筹建，后续我们将完善产品参数和工艺优化，达到相应可靠性等级,早日实现产业化。

华虹NEC销售与市场副总裁高峰表示：“我们很高兴与业内知名的高压功率器件研究单位中科院微电子研究所在IGBT领域进行合作，中国是全球最大的功率半导体市场，国内市场所需的功率半导体约有90%%依赖进口，IGBT功率器件基本上完全被国外厂商垄断;因此，开发半导体功率芯片特别是高压高功率IGBT及配套器件产品工艺，研制出高压高功率IGBT及配套器件产品并实现量产，无论从国家的经济利益还是战略发展上都具有非常深远的意义。”