半导体一周要闻（2013.12.30-2014.01.03）

三星宣布在西安投建的存储芯片生产线启动

预计该项目2014年将正式量产。三星闪存项目总投资70亿美元，于2012年9月12日正式开工，新建厂房及配套设施37.74万平方米，项目中包括一条先进的12英寸10X纳米级闪存芯片生产线。正式投产后，该生产线将达到每月生产至少7万片12英寸晶圆片的能力，预计可实现年销售收入600多亿元人民币。西安是三星设立美国德州奥斯汀半导体工厂后，第二座海外半导体工厂。韩国经济指出，由于3D V-NAND可以沿用现有的半导体生产设备，加上可不断向上堆栈增加容量，非常具有价格与市场竞争力，如与现有的21纳米的NAND Flash相比，三星目前的24层3D V-NAND产品，读写速度快2倍、储存单位(Cell)寿命高10倍，但耗电量却减少50%%。莫大康注；目前三星在存储器上最高水平是19纳米,而下一步是尚未完全研发出的15纳米NAND Flash。

北斗市场 又一国际巨头博通来袭

继高通和三星宣布将推出北斗手机之后，另一位海外“来客”接踵而至，fabless厂商博通在近日宣布推出具有北斗功能的五合一芯片。9.11之后，美国政府要求手机必须支持GPS卫星导航，俄罗斯也要求手机支持GLONASS卫星导航。因此相信中国政府基于安全的考虑，迟早也会推出类似的政策。目前现状是高通的北斗导航功能是整合在其基带芯片中的，博通是独立的导航芯片，采用40纳米工艺,。而国内和芯星通在2013年5月份发布的第二代基带芯片——蜂鸟Humbird芯片，芯片支持北斗、GPS、GLONASS及Galileo四大卫星导航系统，可同时支持两个频点信号，是面向行业应用和准消费类市场推出的国内首款55nm工艺兼容北斗的多模GNSSSOC芯片，也是目前国内市场上尺寸最小的北斗多模GNSS芯片。新模块主要面向车载监控/导航、行业手持/手机及授时应用，近期出货量预计将达到10万以上量级。

莫大康注：国家层面将北斗纳入战略新兴产业十二五规划中，各地包括北京市都将北斗作为战略新兴产业之一写进政府工作报告。据行业分析数据预测，北斗产业的规模在2020年预计将达到4000亿元。北斗市场总是引人思考，这么大的市场，更重要的是从国家安全角度出发，必须要尽快的自主突破。然而高通，三星及博通等外来者依仗技术优势早己布局。如今如何突围是个敏感话题。关键是中国缺乏一个公平的产业竞争环境，要让真正付出劳动而有贡献的人得到回报,其中包括知识产权的保护,以及一个有利于引导人们努力向上，踏实做事的氛围。再有要让市场来引导，政府之手宜慢。总体上产品的产业化是我们的弱项,在短期内实现突破的可能性不大。

国产55纳米相变存储技术发布

宁波时代全芯科技有限公司正式发布中国自主研发的第一款具有自主知识产权的55纳米相变存储技术，为中国半导体存储厂商在云计算和大数据时代开辟了一条自主创“芯”之路，结束了中国芯片存储技术长期依靠进口，彻底打破了中国的“无芯”时代。据悉，第一批商业化的PCM产品预计在2013年内推出，而其主流产品，如替代传统硬盘的固态硬盘将于2014年推出。目前，全球只有三星、美光等少数几家国外厂商拥有商品化的相变存储器，而宁波时代全芯科技有限公司自主研发的55纳米相变存储技术让中国人第一次闯入了以前由外国厂商垄断的相变存储市场。莫大康注；传闻宁波时代全芯科技有计划建芯片制造生产线,值得期待。

京东方合肥8,5代线明年业绩要过三关

京东方合肥8.5代线12月28日投产，比原计划提前一个月。这是国内第一条应用了金属氧化物技术的8.5代液晶面板线，也是中国大陆投产的第四条8.5代线。京东方今年 业绩飘红，全年盈利有望达到18亿~20亿元，比上年同期盈利额提升6倍左右。而随着新线投产，京东方明年要保持业绩稳定，还需过国内面板产能增加、价格面临下行压力、韩台地区高世代线折旧完成这“三关”。1),产能过剩关; 2013年 京东方在北京、华星光电在深圳的8.5代线已经满产并实现盈利，改写了中国大陆缺少液晶电视面板的历史。今年11月25日，三星在苏州的8.5代线投产，预计明年上半年量产。而明年六七月份，LGD在广州的8.5代线也将投产，预计明年年底前量产。2),价格竞争; Display Search的分析师吴荣兵表示，明年、后年韩国和中国台湾的高世代面板线将陆续完成折旧，这对中国大陆的面板厂来说是较大的挑战。3),产品竞争; 京东方合肥8.5代线，应用氧化物技术，可以生产高分辨率、低能耗的面板。比如，超高清（4K）电视面板，非晶硅技术只能生产60Hz（赫兹，越高越清晰），氧化物技术能生产120Hz。

本周是元旦新年，国际消息几乎暂停

百分之百导电新材料或取代石墨烯 实现低功耗下高速互连由美国史丹佛大学(Stanford University)教授张首晟(Shoucheng Zhang)带领的研究团队最近发现一种在室温条件下可实现100%%导电效率的钖基材料，他们将这款可带来更大想象空间的新材料称为“stanene”。 相较于石墨烯采用2D单层碳原子，这种stanene采用了单层锡材料。虽然他们尽量避免将这种材料称为室温超导体，但事实上却是相当类似的。 stanene关键的差异点在于，正常导体的总电阻值随长度呈线性变化关系──导线越长，阻抗就越大，”张首晟说，“但对于stanene来说，唯一的阻抗来自接触，所以线性总阻抗都是恒定，与导线长度无关。对于芯片制造商来说可是个大好消息，他们将可改为采用stanene薄层来实现高速互连，从而大幅减少功耗与热。

ARM吴雄昂明年4G芯片与可穿戴设备是关键

吴雄昂说：在ARM生态系统里有两个类型的芯片，一个类型是ARM完全给他”源代码”，基于这个做芯片整个都是自控的，符合国家自主可控的标准；第二个包括像华为等很多厂商都是有架构授权的，可以开发自己更新一代的东西。吴雄昂预测明年半导体业的改变，提出以下几点：64位处理器、大小核真正热起来、4G带来的高性能手机芯片、物联网。明年将有相当多的64位芯片出来。继苹果、高通发布64位处理器，比较激进的芯片厂商会有消息出来。更重要的是明年会有系统的大小核出来，今年没有太大动静。明年大小核将成为主流产品。4G牌照已经发放，又会促进新一拨更高性能的手机出来，对整个芯片、处理器的性能要求会更高。穿戴式、物联网会有比往年有更快的发展。

地球会被垃圾覆盖2017年电子垃圾激增33%%

未来四年，预计全球电子垃圾的体积将增长33%%，相当于八个埃及金字塔那么大。仅去年，全球就产生了大约5000万吨的电子垃圾，人均产出量大约为7公斤。这些电子产品由数百种不同的物质组成，其中还含有一些有毒物质如铅、汞、镉、砷和阻燃剂。

目前中国是全球电子垃圾大国。2012年，中国电子垃圾总量约为1220万吨（1110公吨），其次为美国，1100万吨（1000万公吨）。

然而，由于之前美国电子市场的产品投入量更大，因此美国的电子垃圾产量即将超越中国。2012年美国的电子垃圾产量约为1040万吨（940万公吨），中国为800万吨（730万公吨）。