一箭双雕?台积电16纳米制程落户南京的背后

全球半导体巨头的12英寸生产线聚集中国大陆，包括英特尔大连、SK海力士无锡、三星西安及联电厦门等，这是业界中少见的盛事。尽管代工巨头台积电晚了一步，但是最终还是落子南京，计划投资30亿美元，月产12英寸硅片2万片，采用16纳米制程，2016年开工，并于2018年投产。

让业界出乎意料的是将采用16纳米制程。

分析台积电的布局，其必然是经过再三思考才做出的决定。这其中有两个主要问题，一个是要不要来，另一个是来了如何布局。

首先是要不要来，这个问题很快能回答，答案是肯定的。因为据2015年它的业绩中，销售额约265亿美元，其中中国大陆占9%%，为23.85亿美元，主要是海思、展讯等的贡献。在2015第四季度中，它的16/20nm销售额己占总销售额64.6亿美元中的24%%。

台积电有两个大客户，高通占22%%，苹果占20%%。近期高通己经把部分高端产品转至三星的14纳米LPP制程，同时传闻三星有可能在10纳米制程中会领先，这样一来苹果iPhone 7s的订单也产生了不确定性。然而台积电多次扬言要守住年增长率达10%%的诺言，肯定受到很大的压力。

众所周知，尽管中国大陆的IC设计业尚未进入主流，但是中国大陆市场超过20%%的年增长率是任何地区无法企及的。因此未来台积电除了紧抓住苹果、联发科、高通等之外，显然中国市场是它未来的关注点。

此外，台积电落户南京还有一个目的不容置疑，就是为了压制大陆芯片制造业的崛起。当一个IC设计公司与代工厂达成量产协议之后，双方需要经过非常多的磨合，花费很多人力、物力，才能产出合格产品。因此一般情况下，IC设计公司不会随意改变合作代工的厂家。所以近期台积电大肆宣传海思是它的16nm finFET工艺的首期客户，其中的意图是十分清晰的，它担心三星会用低价的14纳米finFET LPP制程來吸引海思的订单。

那么为什么台积电要承诺16纳米finFET制程?

我国台湾地区半导体产业执行的是N-1策略，即在外建厂只能比它最先进的制程落后一代。按照台积电的工艺路线图，它的28纳米平面工艺2013年第四季度量产，20纳米平面工艺2014第二季度量产，16nm finFET工艺2015年第三季度量产，而10纳米finFET目标是2017年量产，非常有可能今年第四季度甚至第三季度就实现。因此2018年16纳米finFET工艺进入中国大陆的条件是成熟的。

显然，台积电的另一个用意是压制中芯国际。因为中芯国际己经成功量产28纳米poly工艺，并预计今年年底可占销售额的10%%，正式进入量产阶段。另外中芯的28纳米HKMG工艺也宣布成功，预示其在低功耗的28nm具有相当实力。但是中芯的16/14纳米制程目标是2020年。虽然非常有可能提前，但是很难提前至2018年。所以台积电的南京厂提出16纳米finFET制程，而非28纳米，目的也是为了压制中芯国际。

基于以上分析，台积电在南京布局16纳米的12英寸生产线是意料之中的结果，它的目的是”一箭双雕”，既试图保持它的大陆市场份额节节上升，又起到压制大陆芯片制造业进步的作用。这样一来，大陆刚刚投巨资兴建的28纳米及以下生产线的订单将有可能增加变数。