中国“芯”发展切勿企图走“捷径”

“如果不从日本进口原材料，中国的晶圆厂两个星期就得停产。”在求是缘半导体组织的一次会议上，资深半导体行业专家莫大康先生从国内外半导体产业发展的现状出发，详细阐述了中国半导体产业发展的机遇与挑战，并给出了他对中国半导体产业发展的建议。

半导体产业实现自主可控任重道远

莫大康表示，从全球范围观察，由于半导体产业链冗长与复杂，目前世界上没有那一个国家敢言“自主可控”。而中国处在一个特殊环境下提出产业需要自主可控是必须的，但是要实现这个目标确是任重道远。中国半导体仍然非常弱小，在材料、设备、制造等各个环节全方位落后，相对而言设计和封测发展得稍好。

“这是丢人的一天”谈到美国政府宣布对中兴进行制裁，莫老激动起来。2016年3月8日，所有美系半导体企业(包括被动元器件企业)都接到通知，在获得出口许可之前，不可以给中兴供货。

中兴被限制进口元器件并非孤例，中芯国际进口设备也曾被限制，到现在美国还禁止英特尔向中国出口超级计算机芯片。美国之所以可以通过瓦圣纳(WA)条约，把中国的系统厂商与芯片制造商玩弄于鼓掌之间，正是因为中国半导体产业过于弱小，无法支撑中国信息技术产业实现自主可控。

国家设定的半导体产业2020年目标是全行业销售额9300亿，2015年这个数据仅为3600亿。简单计算一下，这需要全行业今后5年的年复合增长率达到20%%以上。

民营企业不应该担负发展存储器产业的责任

要实现这个目标，就必须要发展存储器。中国在2014年进口DRAM 179亿美元，占全球DRAM总销售额的38%%，NAND型闪存进口68亿美元，占全球总销售额的28.2%%。存储器向来是半导体产业的风向标，日韩半导体崛起就是从存储器开始。由于存储器不依赖于设计，不需要专门软件支持，主要考验的是工艺、产能与成品率，是典型的高投入高产出行业，如今正值工艺从2D向3D的转换时期，如果中国在存储器上站稳脚跟，才算踏出了实现自主可控的第一步。

包括武汉新芯、紫光与合肥力晶等均开始杀入存储器市场。武汉新芯宣布总投资240亿美元的存储器工厂已经开始动工，媒体爆料紫光也制定了一个300亿美元的投资计划，其中大头就是存储器。国内投资存储器的热情不断升温，但莫老呼吁产业应该慎重对待存储器产业的发展，中国发展存储器也面临着诸多困难。

首先是市场的垄断趋势越来越明显，以DRAM为例，从1999年到现在，只有玩家不断退出，不见有新来者进入市场;其次，中国没有存储器专利储备，虽然武汉新芯宣布与飞索(Spansion)结盟，但飞索在3D NAND闪存专利上几无建树;第三，市场落后者要能够忍受长期的亏损，从2001年至2010年，全球内存芯片产业总利润为80亿美元，扣除三星与海力士的利润以后，其他公司总共亏损近130亿美元。

“但这就像马拉松，我们一定要先参与进来，”莫大康表示，虽然面临诸多困难，但存储器这个游戏一定要参与进来，利用日本与台湾地区的工艺技术加上大陆的资金，通过研发高度定制化的存储器产品，或许可以求得一席之地。

不过，莫老对于紫光在存储器方面的投资并不看好。“可能有开局，但不会有结尾，这是我的个人看法。紫光可能不应该担负存储器发展的责任。”

非市场化因素太多将干扰产业正常发展

国家政策对于半导体产业的促进作用是毋庸置疑的，“大基金”的成立带动了国内资本投资半导体产业的热情。在为更好的产业环境感到欣慰时，根据以往的经验教训，莫大康警示：如果在产业发展过程中出现太多非市场化因素，将极大的影响半导体产业的发展。

他举了中芯国际的例子，在2000年至2005年器件，中芯国际发展非常迅速，2000年9月工厂动工，2004年销售额就达到了10亿美元，在纽约、香港两地上市，后来建成了大陆第一条12英寸生产线。

当时中芯国际与台积电的工艺差距不到1年，但当更多非市场化因素影响到中芯国际的发展以后，中芯国际经历了很长时间亏损，只是近三年才摆脱困境，逐渐又回到了正轨，但与台积电的差距已经被拉到了两代以上。客观地分析，中国进步也不小，但是台积电跑得实在太快。

莫大康认为，在国家政策的重视与支持之下，半导体投资环境大大改善，要坚持市场化运作，避免冲动式发展，尤其要注重技术的发展与积累。

“研发、兼并与合资合作三家马车需齐头并进，都很重要，但加强研发是根本，”莫大康认为要实现自主可控的目标，就需要把技术落实到自己手中，“先进技术是用钱买不来的，用市场换也不可能!所以一定要丢掉幻想，不要企图走‘捷径’”。