英特尔重启亚利桑那工厂，新工厂将开拓10纳米工艺？

英特尔本周在白宫椭圆形办公室宣布，对此前搁置的亚利桑那州工厂投资70亿美元。英特尔表示，在建成并运营后，这处工厂将创造3000个工作岗位。英特尔CEO科再奇(Brian Krzanich)在美国总统特朗普的陪同下宣布了这笔投资。特朗普表示，科再奇几周前向其致电称，希望能一同公布这一重大消息。科再奇表示，在白宫宣布这笔投资是“对政府正在推进的税务和监管政策”的支持。

“英特尔非常自豪的是，我们的制造业大部分都在美国，我们的大部分研发也都在美国，而我们的产品80%%销往海外。”科再奇在白宫如是说。

2011年，英特尔原本计划在亚利桑那州投资50亿美元建造一座工厂，但由于半导体行业开始从PC转移向手机等移动设备，PC销量在此后一直下滑，英特尔因此搁置了该项计划。

特朗普于1月20日就职美国总统。他在去年的美国大选中表示，将推动企业在美国创造就业岗位，而不是将岗位转移至国外。

此前，英特尔与100多家公司一同，提交法律陈述，对特朗普的移民禁令表示反对。

白宫负责技术项目的官员里德?科迪什(Reed Cordish)表示，这一事项并未被提交至白宫会议。

英特尔表示，该工厂将在3到4年内完工。这一工厂于2011年开工，计划投资50亿美元，并于2013年落成。英特尔于2014年搁置了这一计划。当时智能手机和平板电脑的发展影响了市场对PC的需求。

壮志未酬的亚利桑那Fab 42

Fab 42工厂曾是一个50亿美元的大项目，原计划在2013年底开始生产英特尔最先进的芯片产品。不过英特尔发言人楚克穆罗伊(Chuck Mulloy)透露，就在同一地点的其他工厂升级换代之际，位于Chandler的这座工厂将在可预见的未来继续保持关闭状态。

穆罗伊表示：“新的建设将暂时搁置，并将取决于未来的技术。”他表示，尽管新工厂没有开工，但英特尔已经完成了2011年启动建设以来雇佣逾1000名员工的目标。通过雇佣这些员工，英特尔获得了亚利桑那州的税收优惠。

2012年奥巴马竞选连任时，曾在该工厂建设用地上停留，并呼吁美国政府采取措施，夺回过去这些年被亚洲抢走的制造业务。

作为全球最大的芯片厂商，英特尔在智能手机和平板电脑领域却处处受制，这场移动革命已经极大削减了PC的市场需求，影响了英特尔的核心业务。市场研究公司Gartner的数据显示，2013年全球PC出货量下滑10%%，这是自Gartner追踪这些产品以来的最大降幅。

“新工厂尚未安装固定设备，尽管空调设备已经装好，但是真正有用、昂贵的设备还没有到位。”穆罗伊表示。过去英特尔拥有市场统治力的很大一部分原因，就是该公司拥有世界上最先进的芯片生产技术，并且总是领先于竞争对手两年左右的时间。

英特尔原计划在这座工厂启用最先进的生产工艺，生产14纳米微芯片。穆罗伊表示，Chandler现有的英特尔工厂之前使用的是上一代22纳米制造工艺，但正在转型升级到14纳米工艺，而且英特尔新招募的员工中，很多将在这些工厂工作。他说：“这样可以更好地利用资金。”

英特尔三分之二的微处理器产自美国，其他则产自爱尔兰、以色列和中国工厂。目前英特尔正在扩建美国俄勒冈州的一座工厂，工程师将在该工厂开展长期计划，在450毫米的硅片上生产微芯片。目前世界芯片行业使用的最大硅片为300毫米左右。

“新”工厂还会瞄准最新的工艺吗?

前面提到，英特尔本来想在Fab42推进当时最新的14nm工艺进展的，但由于这样那样的原因，最终导致工厂的停摆，而新工艺也经历了很久才面世，且没取得预期的效果。现在这个工厂重启，Intel会否继续在上面开拓新工艺?例如10nm?

根据英特尔最新的一份路线图显示，Intel要到2017年第四季度，才会推出10nm处理器。这份路线图只显示了Intel在移动平台上的规划，但这几年Intel都是移动先行，桌面版肯定都会比这更晚，Kaby Lake就要到明年初才会登陆桌面，Coffee Lake说不定得2018年年中。

但今年1月，据海外媒体报道，英特尔(Intel)日前宣布将推出10纳米芯片，搭载该芯片的处理器预计2017年推出，此消息一出，也等于驳斥外界认为摩尔定律(Moore’s Law)发展已放缓的说法。评论指出，虽然其他厂商也推出10纳米技术，但各家标准并未统一，而且英特尔在10纳米技术仍维持数年的领先优势。

据IEEE Spectrum报导，2017年英特尔将推出的新处理器采用该公司最新10纳米芯片制程技术。该公司也指出，届时采该制程生产的电晶体成本将比以往还低，代表摩尔定律精神不仅将延续，也驳斥电晶体制造成本已来到最低的说法。

展望来年，英特尔并计划在电晶体设计上继续精进，而且首度让自家制程技术最大化以便符合其他公司需求，可利用英特尔设备生产采安谋(ARM)架构的芯片。

英特尔院士Mark Bohr指出，虽然目前芯片制程世代或节点名称说法与芯片上的功能多有脱勾，但该公司10纳米世代所能达到的密度，将比目前14纳米芯片甚至其他业者的10纳米产品还要高。

该公司日前也公布多项新世代制程数据，包括负责开关的电晶体闸极长度以及闸极间距(gate pitch)都会更小，最小的闸极间距将由70纳米变成54纳米，执行标准逻辑功能的逻辑单元尺寸也会比目前采用14纳米技术的小46%%。

Bohr也指出，这已是较往年更为大胆的微缩程度，也一反日前新芯片制程世代出现时间变慢的发展趋势。

英特尔指出，即使生产10纳米晶圆的成本会比14纳米高，但每颗电晶体生产成本会较低，而且在切换速度(switching speed)与功耗上都可获得提升。因此，Bohr表示，在尺寸与效率上改善后，将可望让服务器芯片增加更多核心以及在GPU增加执行单元。

过去英特尔每2年都会推出新的制程世代来升级电晶体，但在14纳米，该公司推出被称为半节点(deminode)世代，也就是在10纳米之前只针对14纳米做出改善，而且在10纳米后，预计在进展至下一个7纳米世代之前，也先推出2个半节点10nm+与10nm++。

目前三星电子(Samsung Electronics)与台积电也在生产10纳米芯片，2016年10月三星更宣布已率先量产，采用该芯片的装置预计在2017年初上市，GlobalFoundries则倾向在2018年开始一举进入7纳米。

对此，分析半导体产业发展的VLSI Research机构执行长Dan Hutcheson指出，目前各厂都在积极突破微缩的极限而且都取得进展，但彼此标准并未统一，若以10纳米产品比较，英特尔在特征尺寸上仍有多年领先优势。

除此之外，Hutcheson也指出，英特尔透过控制与一致化其自家制程而与其他厂商有所区隔，也帮助其在发展代工服务上具备优势。至于为其他公司代工芯片也是英特尔新作法之一，而且具备生产ARM处理器的能力后，对该公司来说更是重要。

英特尔也表示，首款10纳米芯片将优先在其处理器上采用，2018年再向其他厂商开放。

至于具体的进展，就静待英特尔的公布了。