紫光打响2018存储攻坚战

1月9日，英特尔与美光公司宣布，双方将在完成第三代3D NAND技术研发之后，各自独立开发3D NAND闪存芯片。这意味着届时在存储器领域两者维持多年的合作关系亦将随之结束。消息传出不久，即有中国台湾地区媒体预期英特尔在3D NAND布局押宝中国大陆市场，后续不排除以技术授权等方式携手紫光集团。尽管这一预测其后并未得到任何证实，却反映出业界对于紫光集团发展存储芯片事业的关注。2018年对于紫光集团来说，正是其全面发力存储芯片事业的最为关键一年，攻坚克难在此一举!

产业布局已全面铺开

2018新年伊始，位于四川成都天府新区的紫光IC国际城项目便已传出消息，项目建设正式启动。紫光集团董事长赵伟国在致辞中表示，此次启动的天府新区紫光IC国际城项目是紫光集团在芯片制造领域的三大布局之一。项目全部建成后，除了实现月产30万片12英寸3D NAND晶圆外，还将涵盖从设计到封测的芯片相关业务，并包括紫光集团“从芯到云”的完整产业链。整个项目未来十年总投资会超过2000亿元。

赵伟国提到的紫光在存储芯片的三大布局是指武汉长江存储建设的国家存储器基地、南京建设的紫光IC国际城，以及此次启动的天府新区紫光IC国际城项目。目前为止，长江存储进展最快，一期工厂已经竣工，预计将于2018年投入使用，项目一期达产后，总产能将达到30万片/月，年产值将超过100亿美元。南京项目也已进入实质性启动阶段。

2017年11月项目启动，投资300亿美元打造半导体产业基地，并投资300亿元进行紫光IC国际城项目建设，主要生产3D NAND和DRAM芯片;基地一期正式达产后，将月产10万片，预计年产值达48亿美元;二期正式达产后，月产20万片，预计年产值达100亿美元。

针对2017至2018年度公司如此密集地展开产业布局，赵伟国表示，存储芯片产业必须有规模，建设三大基地就是为了追求规模效应，未来三大基地将在研发和生产、市场、销售上协调一致行动。其实，除了产业基地的建设之外，紫光在存储芯片产业链上也进行了相应布局。目前紫光在存储领域的布局，包括存储芯片的制造、封测和SSD，基本是一个完整的产业链。最新进展包括武汉、南京、成都存储芯片工厂建设顺利，研发进展正常，上海宏茂的存储芯片封测项目正在进行中，苏州的SSD工厂已开工建设。

然而，紫光在存储芯片上产业布局全面铺开的同时，挑战也将如影而至。众所周知，全球存储市场几乎被三星、海力士、美光、东芝、西部数据等五家厂商瓜分，中国在此领域基本处于空白。Gartner半导体分析师盛陵海此前在接受记者采访时指出：“紫光是中国发展半导体业领头羊之一，但要真的成为全球一线存储器制造商，前方困难还非常多。”

具体来看，紫光面临的挑战可以归结为三个方面：专利技术、资金和市场。

专利技术：还要立足自主研发

2017年12月4日，美光公司根据“保护营业秘密法”(Defend Trade Secrets Act)，以及“反勒索及受贿组织法”(Racketeer Influencedand Corrupt Organization Act)，在美国加州北部联邦法庭提起民事诉讼申请，状告代工厂联华电子(UMC)和福建晋华盗窃其商业机密等不当行为。此案立即引起业界广泛关注。ICInsights总裁兼执行长Bill McClean在接受媒体采访时表示：“我不知道他们要如何在不碰触三星、海力士和美光所拥有的专利下生产记忆体片。”台湾南亚科总经理李培瑛也认为，中国企业若没拿到技术授权，很难做出有竞争力的产品。

这或许就是在英特尔刚刚宣布未来将结束与美光合作关系之后，就有人猜测英特尔将与紫光在3D NAND上展开合作的原因。业界普遍对中国企业能自主开发(且不违反专利)存储芯片没有信心。

此前，英特尔与紫光集团在通信芯片上已有合作，似乎并不排除两家公司将合作进一步扩展的可能性，但没有进一步印证相关猜测的消息传出。而就目前情况来看，紫光在存储芯片上的发展应是立足自主研发为主。相关消息显示，在3D NAND闪存方面，长江存储已经研发出了32层64G的完全自主知识产权的3D NAND芯片，2018年将可实现量产。在DRAM方面，紫光国芯，前身是成立于2001年的晶源电子，是国内压电晶体元器件领域的领军企业，2015年紫光集团成为紫光国芯的控股股东后，将由原奇梦达科技(西安)有限公司改制重建基础上发展起来的西安紫光国芯半导体有限公司置入其中。原奇梦达科技(西安)有限公司是欧洲存储器公司奇梦达(后被收购)在中国设立的设计中心，具有存储器芯片的开发设计能力。目前其在DRAM存储器芯片方面已经形成较为完整的系列，产品接口覆盖SDR、DDR、DDR2和DDR3 DRAM，并开发出相关的内存模组产品。此前，紫光国芯面临的最大挑战是缺少晶圆厂的支持。随着紫光集团大力布局存储芯片制造基地，已经形成相对完整的产业链，立足自主开发存储器并非不可能。

10年1000亿美元的投资多吗?

资金问题是外界质疑紫光存储器事业的另一重点。长江存储总投资超过240亿美元(预计最终全部投资280亿美元)，四川成都天府新区紫光IC国际城项目总投资超过2000亿元，南京项目总投资300亿美元。也就是说，紫光陆续规划在武汉、成都、南京的投资近1000亿美元。

对此，赵伟国在接受媒体采访时指出：“之所以规划了10年1000亿美元的投资，是因为这个行业具有以下特点：资本密集、人才密集、技术密集、全球竞争，芯片制造不仅是高端制造，而且是尖端制造。10年1000亿美元的投资，平均每年也就是100亿美元，英特尔、台积电、三星每年在芯片制造上的资本开支，每家都超过了100亿美元。因此达不到每年100亿美元的投资规模，根本就进入不了全球芯片制造的第一集团。”

然而，如此海量的资金，紫光又将如何筹措呢?除了国家集成电路产业投资基金和国开行、中国进出口银行等金融机构的支持外，紫光也在多方筹措资金，包括设立各种基金，与地方政府联合投资，在资本层面合作等。此外，赵伟国还提出了设立“中国集成电路股份有限公司”的设想。研究三星的发展可以发现，三星是一个科技资本财团，芯片业务只是三星的一部分业务，三星的金融和其他实业为芯片产业的发展，提供了巨额资金。紫光要借鉴三星的发展，成为一个以芯片和云网为主导业务的综合性科技财团，这样紫光才有可能完成振兴中国集成电路产业的大业。

“板凳要坐十年冷”的心理准备

紫光存储事业未来面临最大的挑战是“市场关”。存储器是一个高投入、高风险、高壁垒的战场，当年三星为了发展内存芯片事业连续忍受13年的亏损，才最终实现盈利。这意味着，紫光发展存储事业的初期也很有可能面临一段长时期的亏损局面。

从当前市场竞争态势来看，东芝与西部数据在2017年经历了长时间的法律诉讼与合资争议之后，已于2017年12月13日达成和解，协议包括双方延展合资关系至2029年，并确保西部数据在Fab6工厂中能够参与投资，确保了西部数据可以继续参与96层以后3D NAND Flash的竞争。东芝随即在12月21日宣布Fab 7的兴建计划。集邦咨询半导体研究中心指出，随着东芝、三星、英特尔、长江存储等都将扩增NAND Flash产能，对NAND 闪存产业的影响将在2019年转趋明显，整体产业可望呈现供过于求的状况。

集邦咨询半导体研究中心表示，观察中国大陆在NAND闪存领域的发展，以紫光集团旗下的长江存储为中国最快成军的开发厂商。由于长江存储开发早期技术力不足，难以与一线大厂相抗衡，预估其初期产品会以卡碟类为大宗。随着长江存储技术发展来到64/96层，才有机会进军SSD市场，但此市场技术竞争相当激烈，短期会难以在成本上取得优势。

可见，量产初期的市场挑战将是紫光在存储器上的最大挑战。在加快技术开发的同时，只有拿出足够的耐心与坚持。这方面，赵伟国在有着清醒的认识。“目前在主流存储芯片产品领域，中国完全是空白，在长江存储项目之前，不是缩短差距的问题，原来是零，所以和国际巨头的距离是无限远，我想有五年的时间，我们可以站稳脚跟，再有五年，应该有相当的成就，所以要有‘板凳要坐十年冷’的心理准备和战略耐力。”赵伟国说。