6月5日，在中国电子科技集团公司第二研究所(简称中国电科二所)生产大楼内，100台碳化硅(SiC)单晶生长设备正在高速运行，SiC单晶就在这100台设备里“奋力”生长。
中国电科二所第一事业部主任李斌说：“这100台SiC单晶生长设备和粉料都是我们自主研发和生产的。我们很自豪，正好咱们自己能生产了。”
SiC单晶是第三代半导体材料，以其特有的大禁带宽度、高临界击穿场强、高电子迁移率、高热导率等特性, 成为制作高温、高频、大功率、抗辐照、短波发光及光电集成器件的理想材料，是新一代雷达、卫星通讯、高压输变电、轨道交通、电动汽车、通讯基站等重要领域的核心材料，具有重要的应用价值和广阔的应用前景。
中国电科二所第一事业部主任李斌说：“高纯SiC粉料是SiC单晶生长的关键原材料，单晶生长炉是SiC单晶生长的核心设备，要想生长出高质量的SiC单晶，在具备高纯SiC粉料和单晶生长炉条件下，还需要对生产工艺进行设计、调试和优化。”
据介绍，单晶生长炉需要达到高温、高真空、高洁净度的要求，目前国内只有两家能生产单晶生长炉，中国电科二所是其中之一。他们突破了大直径SiC生长的温场设计，实现可用于150mm直径SiC单晶生长炉高极限真空、低背景漏率生长炉设计制造及小批量生产;他们还突破了高纯SiC粉料中的杂质控制技术、粒度控制技术、晶型控制技术等关键技术，实现了99.9995%%以上纯度的SiC粉料的批量生产。
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3月5日，第十三届全国人民代表大会第四次会议在北京人民大会堂开幕。党和国家领导人习近平、李克强、汪洋、王沪宁、赵乐际、韩正、王岐山等出席，栗战书主持大会。初春的北京，处处生机盎然。第十三届全国人民代表大会第四次会议5日上午在人民大会堂开幕。近3000名全国人大代表肩负人民重托出席大会，认真履行宪法和法律赋予的神圣职责。
12月28-29日，全国工业和信息化工作会议在京召开。会议以习近平新时代中国特色社会主义思想为指导，全面贯彻党的十九大和十九届二中、三中、四中、五中全会精神，认真落实习近平总书记重要指示批示精神和中央经济工作会议部署，总结2020年工业和信息化工作，分析形势，部署2021年重点工作。工业和信息化部党组书记、部长肖亚庆作工作报告。
3月22日，中国电子信息产业发展研究院发布了《2020年中国家电市场报告》（以下简称《报告》）。《报告》显示，2020年，我国家电市场零售额规模达到8333亿元，在疫情冲击之下显示出较强的韧性；电商渠道对家电零售的贡献率首次超过50%，网络零售对家电消费的促进作用进一步提升；高端产品、生活家电大幅增长，有效促进了消费升级和产业转型。
11月20日，由工业和信息化部、安徽省人民政府共同主办的2020世界显示产业大会在合肥市举行。在开幕式上，工业和信息化部部长肖亚庆、韩国驻华大使张夏成发表视频致辞。安徽省委副书记、省长李国英，工业和信息化部副部长王志军出席开幕式并致辞。
11月2日，由工业和信息化部、国家广播电视总局、中央广播电视总台、广东省人民政府共同主办的2020世界超高清视频(4K/8K)产业发展大会在广州市召开。广东省委书记李希出席开幕式，省长马兴瑞出席并致辞。国家广播电视总局局长聂辰席、工业和信息化部副部长王志军、中央广播电视总台副台长蒋希伟出席开幕式并致辞。
10月19日—20日，由工业和信息化部、江西省人民政府主办的2020世界VR产业大会云峰会在南昌举行。在10月19日的开幕式上，中共中央政治局委员、国务院副总理刘鹤发来书面致辞。江西省委常委、南昌市委书记吴晓军，工业和信息化部副部长王志军，江西省委书记、省人大常委会主任刘奇先后致辞。开幕式由江西省委副书记、省长易炼红主持。
