助力LED芯片技术产业化，三安光电荣获国家科学技术进步一等奖

1月10日上午，中共中央、国务院在北京隆重举行国家科学技术奖励大会。三安光电股份有限公司以“高光效长寿命半导体照明关键技术与产业化”项目，与中科院等联袂荣获国家科学技术进步奖一等奖。

此次三安光电与中国科学院半导体研究所，通过共同承担国家科研任务、签署技术合作协议等方式开展密切合作，项目面向半导体照明产品光电转化效率、长期工作可靠性等核心技术难题，从半导体照明材料、芯片、封装、模组与应用全链条开展产研联合技术攻关，形成了具有自主知识产权的高光效长寿命半导体照明全套技术，实现了国内产业龙头企业芯片技术产业化与核心器件国产化。半导体照明已成为我国具有国际竞争力的高科技领域之一，该项目成果对践行创新驱动发展战略、推动产业转型升级意义重大。

中科院半导体研究所有关人士表示，此前半导体照明产品面临电光转化效率低、长期工作可靠性差、标准缺失等核心难题，关键技术被国外垄断。此次本项目在国家科技计划的持续支持下，历时十余年联合技术创新，推动了我国半导体照明战略性新兴产业全链条技术自主可控的国产化进程。项目成果在人民大会堂、2014 中国 APEC 峰会、北京奥运会、“十城万盏”节能改造、索契冬奥会、俄罗斯世界杯等多场景开展示范应用，通过半导体照明产品大规模推广，为国民经济的可持续发展做贡献。

三安光电副总经理蔡文必表示，以氮化物基发光二极管（LED）为核心器件的新一代半导体照明光源具有高效节能、绿色环保的特点，是全球最有发展前景的高技术产业之一。随着各国淘汰白炽灯计划进一步实施，LED 通用照明市场将呈现爆发式增长。此次项目成果包括p 型氮化物掺杂与量子阱结构设计、微纳图形化衬底及成核技术、新型缓冲层的高质量氮化物外延技术、激光诱导光提取技术等多项外延芯片技术率先在三安光电进行推广与量产，促进三安光电作为全球知名外延芯片厂的技术发展，实现了我国半导体照明芯片由完全依赖进口发展到自主可控全面国产化，LED 芯片及应用产品出口至欧美多个国家，实现了自主研制的半导体照明芯片取代进口，促进半导体照明终端产品大规模的推广应用。

蔡文必表示，为巩固三安光电在传统半导体照明领先地位，适应半导体照明应用领域多样化发展，三安光电也在继续联合中科院等科研机构，向高端、新兴半导体照明领域加快拓展。目前，三安光电投资在“泉州芯谷”南安园区建设的半导体项目和湖北省鄂州市葛店经济技术开发区Mini/Micro LED显示芯片产业化项目建设进展顺利；三安项目分别投资高端氮化镓LED外延芯片、高端砷化镓LED外延芯片、Mini/Micro LED芯片、车用LED照明等领域。公司“再造一个三安”已踏出新的征程。

据悉，三安光电拥有国际知名、国内领先的全色系超高亮度发光二极管外延及芯片产业化生产基地，也是我国微波射频、电力电子、6吋化合物集成电路芯片的研发及产业化基地，公司拥有近2000项专利及专有技术，并拥有国家级博士后科研工作站及国家级企业技术中心，承担了多项国家重点攻关项目，是国家发改委批准的“国家高技术产业化示范工程”企业、国家科技部认定的“半导体照明工程龙头企业”、国家工业和信息化部认定的“国家技术创新示范企业”、国家知识产权局认定的“国家知识产权示范企业”。