英特尔领先三星实现3D封装量产

北京时间1月25日，英特尔宣布其首个3D封装技术Foveros已实现大规模量产，成为第二家实现3D封装量产的企业。英特尔表示，其名为Foveros的3D先进封装技术是一种首创的解决方案，可以使处理器的计算模块垂直堆叠，而非并排堆叠。英特尔表示，Foveros将有助于推进Chiplet（小芯片）技术，提供速度更快、成本更低的封装路径。

在摩尔定律接近物理极限的当下，诸多芯片厂商不再仅仅依靠制程的缩小来实现性能提升，包括3D封装在内的先进封装技术受到关注。2.5D封装中，逻辑电路和存储模块仍是并排堆叠的，但3D封装技术中，逻辑电路和存储模块则可以实现立体堆叠，这意味着芯片内部距离可实现进一步缩短，进一步提高各模块间的连接速度。

台积电在2022年首先实现3D封装量产。当前月产能达到了1900片，预期2025年月产能将超过3000片。Foveros量产成功，意味着英特尔成为继台积电之后第二家实现3D封装量产的企业。

此外，其他芯片代工企业也在3D封装领域“摩拳擦掌”。三星积极开发3D封装技术SAINT，并表示将在2024年量产。有消息称，联电也在联合西门子EDA、Cadence等EDA厂商合作开发3D封装技术。在OSAT厂商中，日月光推出了面向3D封装市场的VIPack先进封装平台解决方案。

咨询公司Yole Intelligence称，未来，全球先进芯片封装市场预计将从2022年的443亿美元增长到2027年的660亿美元。其中，3D封装预计将占四分之一左右的市场规模，即150亿美元。