访全国人大代表、湖南省经济和信息化委员会主任谢超英：加快IGBT研发与产业化

全国人大代表、湖南省经济和信息化委员会主任谢超英在接受《中国电子报》记者专访时说，他向大会提出加快IGBT(绝缘栅双极晶体管)产业发展的建议，建议国家高度重视IGBT产业发展，支持国内优势企业开展以IGBT为代表的功率芯片及其器件的研究开发与产业化。”

IGBT应用需求巨大

谢超英向《中国电子报》记者介绍说，IGBT是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件，为世界公认的电力电子第三次技术革命的代表性产品，具有高频率、高电压、大电流，易于开关等优良性能，被业界誉为功率变流装置的“CPU”。近年来，随着国民经济的快速发展，功率半导体技术已经日益广泛地应用于日常消费品、工业制造、电力输配、交通运输、航空航天、可再生能源及军工等重点领域，只要涉及到用电的各种场合，就离不开以功率半导体为核心的电力电子技术的应用。“目前，中国是世界上最大的功率半导体器件消费国，但作为产业链高端的功率芯片则全部依赖进口，这势必影响国民经济的安全、可持续发展。因此，建议国家高度重视IGBT产业发展，支持国内优势企业开展以IGBT为代表的功率芯片及其器件的研究开发与产业化。”

谢超英对《中国电子报》记者说，我国IGBT技术取得一定突破，应用需求巨大。IGBT芯片技术方面，中国南车建成全球第二条、国内首条8英寸IGBT芯片专业生产线，具备年产12万片芯片、并配套形成年产100万只IGBT模块的自动化封装测试能力，芯片与模块电压范围实现从650V到6500V的全覆盖。去年成功实现首批8英寸1700V IGBT芯片下线，8英寸3300V芯片已完成试制与测试，6500V芯片也已研发出合格样品。IGBT模块技术方面，封装IGBT模块所用芯片大多由英飞凌、ABB等国外公司提供，只有极少量的芯片由国内生产，国产IGBT芯片年产值不到1亿元。但我国却是全球最大的功率半导体消费市场，占全球市场的40%%以上，未来一段时期仍将保持15%%以上的速度增长，市场潜力巨大。其中，我国IGBT消费市场目前约80亿元的规模(全球市场约300亿元)，到2020年可能达到300亿元的规模。

在谢超英看来，我国IGBT产业发展制约因素较多，亟待突破。一是没有形成创新体系，二是缺乏完整的生产线，三是配套产业薄弱，关键材料的国产化已成为我国IGBT产业快速发展的一大制约因素。

出台扶持政策加快IGBT产业化

谢超英说，IGBT作为电能变换的关键部件，是现代科学、工业和国防的重要核心技术，以IGBT为代表的功率半导体是电力电子产品的基础。为尽快改变目前我国在产业链高端的功率半导体芯片基本依赖进口的局面，他建议国家出台扶持政策，依托国内优势企业，通过示范和引导，大力推进我国IGBT产业化并形成规模优势。

一是设立国家重大科技专项支持IGBT技术研发与产业化。建议设置功率半导体重大专项，支持IGBT等功率器件技术升级与产业拓展。探索IGBT研发与产业化的“后补助”政策，通过“事前申报、事后认定”的方式对以企业为主的IGBT科技创新主体给予经费补助，积极推进IGBT技术的持续创新，加速科技成果产业化。

二是鼓励与支持国产IGBT器件的进口替代及应用推广，以器件应用拉动我国IGBT产业化进程。同时，对轨道交通、新能源、电动汽车、家电等IGBT主要应用领域提供政策性补贴，通过政府采购、节能工程、示范工程等政策，加快推动国产IGBT应用的多点突破、加强器件、系统、装置与应用全产业链的合作。

三是建设国家级创新平台培育IGBT产业集群。建议以中国南车在湖南省建设的国内首条8英寸IGBT生产线为基础，建设功率半导体国家级科技创新平台，引领行业技术、标准发展。同时，依托中国南车等优势企业建立IGBT芯片基地和IGBT应用产业基地，汇聚功率器件上下游产业，形成国内首个国产IGBT千亿产业基地，示范和引领产业发展。

四是出台税收等政策支持IGBT国产化。对于成熟的国产IGBT制造企业的持续性投入予以项目资金支持，减免销售收入增值税，同时逐步提高进口IGBT的关税，减轻国产IGBT的市场价格竞争压力，促进我国IGBT产业的健康发展。