华力总裁雷海波披露总投资387亿元12英寸晶圆生产线最新发展策略

2016年年底，华力微电子宣布启动总投资达387亿元的二期建设项目。这是我国最新规划建设的一条以28~14纳米工艺为目标的12英寸晶圆生产线。业界对其发展进程高度关注。

日前，华力总裁雷海波在“2017中国半导体市场年会”演讲中，阐述了“先进成熟”工艺的发展理念。有观点认为，这将是华力在其二期项目建设中采取的一项重要发展策略。

“先进成熟”工艺将成二期发展策略

“目前，与国际先进水平相比，中国大陆的半导体制造产能与工艺技术水平仍有很大差距。2016年，中国大陆晶圆代工产能仅占全球的14.6%%，28纳米及以下工艺产能仅占全球的1.4%%。做大规模是做强的基础，特别是要对‘先进成熟’工艺(28、14纳米)的产业化加大力度。其中，加大产业化投入是指加大每年的基础研发投入和前瞻性技术的研发投入。另外，加强本土半导体产业人才培养也是产业化投入的重要部分。”这是雷海波在演讲中重点强调的观点之一。

2016年，华力一期投产之后正式启动了二期项目建设，通过新设法人——上海华力集成电路制造有限公司的方式，在浦东新区康桥工业区南区新征土地建设一条月产能4万片的12英寸集成电路芯片生产线。根据规划，华力二期新生产线的工艺节点为28~14纳米。它延续了一期项目55~40~28纳米的工艺发展规划，将形成相对连续完整的演进路径，重点正是国际上已经相对成熟，但对中国大陆厂商来说仍然存在极大挑战的28、14纳米工艺平台。

根据此前发布的消息，华力已经与IC设计大厂联发科技合作开发了28纳米工艺，预计2017年将实现量产。该工艺平台将首先在华力一期实现小规模量产，未来将导入二期生产线。

那么，华力未来将如何开发并利用好28纳米及14纳米的产能，在与台积电等晶圆代工龙头大厂的竞争中取得更好的成绩，是业界所普遍关注的。而发展“先进成熟”工艺，或许就是华力的重要策略之一。

“‘先进成熟工艺’这个概念是把国内与国际实际情况结合起来而总结提出的，有些工艺比如28纳米，在中国大陆还属于先进工艺，但是在国际上它已经成熟了。在把它们开发出来并推向市场之后，如何取得更好的经营效益、实现持续发展，是公司思考的重点。”雷海波指出。一般来说，在一个工艺节点上主工艺平台首先发展的是逻辑工艺或者是RF。随着技术的成熟再逐渐开发特色工艺平台，如高压工艺平台、CIS工艺平台、eFlash工艺平台等。对于中国大陆半导体公司来说，由于与国际先进水平存在着1.5~2代的代差，因此在工艺平台开发之初，就不能把力量仅仅集中在标准工艺上，也要关注特色工艺的开发。

“目前，华力的28纳米平台已在开发逻辑芯片和射频芯片了。相信在3～5年后，CIS和嵌入式闪存也将移植到28纳米平台上。”雷海波告诉记者。

CIS、eFlash将移植到28纳米工艺平台

华力在建设一期项目时已下大力开发特色工艺。基于自主研发的55纳米低功耗逻辑工艺平台，华力推出了多个先进的特色工艺技术平台，包括55纳米图像传感器工艺、55纳米高压工艺、55纳米超低功耗工艺、55纳米射频工艺和55纳米嵌入式闪存工艺平台。其中，55纳米图像传感器工艺是中国本土唯一利用12英寸在55纳米工艺节点进行高端图像传感器芯片制造，并最早进入大规模量产，结合当前双镜头、物联网等市场应用热点，已成为华力主要营收来源之一。

基于实际经验，华力在二期建设时将推进“先进成熟工艺”作为重点。55纳米后，CIS的下一个技术节点是40纳米。“未来，华力将会把CIS工艺导入到28纳米工艺平台上。”雷海波表示。

华力二期建设在2016年12月时项目已经动工。“实现了当年规划、当年开工。目前，打桩工作已经完成，接下来我们要建设主体厂房及动力厂房，确保在今年年底前厂房封顶，并安装部分机电设备。同时，我们的工艺设备选型工作已经开始，将在今年年底前完成前期1万片的设备订单，以保证在2018年年底前形成1万片的产能。”雷海波透露。

然而，在产线的建设过程中有一点特别需要注意。“中国企业不能一味追踪摩尔定律的垂直主线进度，在相对国际先进水平1.5~2代的代差难以短期迅速拉近的情况下，我们应当首先将相对先进的工艺做好、做扎实，以先进的工艺平台发展特色生产线，将业务做宽、做实。这是最现实的选择。”雷海波指出。

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