“AOS 功率半导体技术交流论坛”产研结合打造创新“发动机”

随着先进轨道交通装备、新能源汽车、自动驾驶、高档数控机床等领域的迅猛发展，功率半导体的重要性越发凸显.。作为国际上功率半导体领域的知名企业，AOS万国半导体产品线涵盖IGBT、MOSFET、POWER IC等，并凭借多年来积累的先进技术和成熟产品享誉业内。为了更好地介绍功率半导体的技术前沿，特别是SiC/GaN的最新进展，阐述行业发展趋势，助推产业发展，AOS万国半导体将于2018年6月1日在重庆召开“AOS 技术交流高峰论坛”，强大的嘉宾阵容，全面的行业分析，诚邀产、资、学、研等各界专家、企业参加，深入研讨行业热点，全面分析需求环境。

本次论坛同时将会举行重庆万国半导体的设备搬入开工仪式，为打造重庆市第一家集芯片制造、芯片封装、测试为一体的半导体生产制造企业迈出第一步，同时重庆市领导将会出席本次开工仪式。

在开工仪式后，本次“高峰论坛”组委会特别邀请的嘉宾-IGBT发明人B.Jayant Baliga教授将会发表名为“IGBT的前生和未来”的专题演讲，分享IGBT的起源，展望未来发展趋势。作为国际知名科学家以及IGBT领域中的权威人物，B.Jayant Baliga教授目前已有120多项相关专利，多次获得IEEE Newell奖、IEEE Morris N. Liebmann纪念奖、IEEE JJ Ebers以及IEEE Lamme奖，目前已成为印度国家工程院院士、欧洲科学院院士以及IEEE院士。在IGBT领域中，凭借多年的研究经验，B.Jayant Baliga在2016年被纳入国家发明家名人堂。

与此同时，本次组委会还将邀请美国伦斯勒理工学院终身教授T.Paul Chow莅临现场，并作题为“宽禁带应用技术”的主题演讲。作为美国NSF功率电力电子系统中心的研究主任，T.Paul Chou已成为半导体功率器件和智能功率电路领域的先驱，目前已有150多篇高影响力的学术论文。此次，T.Paul Chou应邀参加AOS 技术交流高峰论坛，与业内人士共同商讨IGBT等功率半导体技术的进步，探究随着智能化、集成化和小型化的发展趋势，未来功率半导体的发展方向以及发展机遇。

此外，本次论坛AOS万国半导体IGBT产品线副总裁Dr.Madhur Bobde 将发表题为“MOSFET/IGBT技术分享”的专题演讲，讲解AOS万国半导体的MOSFET/IGBT技术;AOS万国半导体IGBT产品线副总裁Dr.Bum-Seok Suh将发表题为“AOS IGBT解决方案”的主题演讲;AOS万国半导体产品资深总监Dr.David Sheridan 将发表题为“AOS Wide-Band 宽禁带应用技术”的主题演讲;AOS Mosfet&TVS市场部副总Lei Feng以及应用技术总监刘松将就MOSFET及TVS相关主题就行技术交流讨论。届时各位知名人士将为观众提供一场视听盛宴，巅峰论坛，大咖云集，更多精彩内容详情请参后续报道。

(《中国电子报》版权所有，转载请注明出处)