AOS技术交流高峰论坛召开 IGBT发明人发表精彩演讲

由AOS万国半导体举办的“AOS IGBT/IPM/GaN/SiC技术交流高峰论坛于今日(6月23日)召开。本次会议定位于国际前沿技术的深度交流，介绍国际IGBT/IPM的技术前沿，以及SiC/GaN的最新进展，阐述行业发展趋势，助推产业发展。电力电子行业的专家、企业以及相关产业链上下游的各界人士参加了本次会议。

中国半导体行业协会执行副理事长徐小田在致辞中指出，功率半导体不仅涉及到电力电子器件、电力电子装置、系统控制及其在各个行业的应用等领域，还涉及到相关的半导体材料、电工材料、关键结构件、散热装置、生产设备、检测设备等产业，产业链长、产业带动作用巨大，在推进实施《中国制造2025》规划中具有重大意义，对深入推进制造业结构调整和企业技术改造，实施中国制造强国建设“三步走”的发展战略提供强大的支撑。在此情况下，发展自主安全可控的功率半导体产业是当务之急。我国非常重视半导体产业，2014年发布《国家集成电路产业发展推进纲要》对IC产业发展做出了全面的指导。同时，也鼓励功率半导体产业的发展。

高峰论坛特别邀请了IGBT发明人B.Jayant Baliga教授发表演讲。B.Jayant Baliga指出，功率半导体作为一种用于实现电能高效转换的开关控制电子器件具有开关中低的功率损耗特性，其低的导通压降导致低的导通损耗、高的开关速度产生低的开关损耗、高的导通电流密度形成小芯片尺寸和低成本，同时它的耐用性使它具备可靠工作的特性。目前，IGBT广泛应用于消费行业、交通领域、工业领域、可再生能源、照明、电力传输、医疗行业、金融行业等。谈到宽禁带半导体功率器件时，B.Jayant Baliga回顾碳化硅功率器件发展进程，指出碳化硅功率器件可以用更短的沟道长度和更小的单元尺寸来实现传统器件的功能，应用范围可达：600-6500V/1-1000A。

AOS万国半导体董事长兼CEO张复兴在开幕演讲中指出，功率半导体技术不断进步，朝智能化、集成化、小型化发展。AOS万国半导体作为一家集设计、开发与销售为一体的功率半导体全球领先供应商，持续推进技术进步。公司建成14年来，在美国注册的专利已达600多件。公司采取高技术+薄利多销的发展策略，从功率半导体到IC设计到晶圆制造，为客户提供Total Soultion的全面服务。公司全球布局，但对中国市场给予高度重视，在重庆投资建设了12英寸功率半导体芯片制造及封装测试生产基地。预计基地将于明年3月投入使用。

除此之外，万国半导体的高管团队还就最新的技术进展与现场嘉宾进行了深入探讨。万国半导体器件技术副总载Madhur Bobde就“AOS IGBT/FRD发展与历程”为主题发表演讲;万国半导体产品线副总裁Brain Suh博士的演讲主题为“IGBT/SiC/IPM应用”;万国半导体Wide Bandgap产品资深总监David Sheridan介绍了“AOS GaN/SiC技术发展历程”。