“抓紧创新”提升我国IC制造软实力

集成电路是信息技术产业的基础性和先导性产业，其技术水平和发展规模已经成为衡量一个国家产业竞争力和综合国力的重要标志之一。正是因为这一点，许多国家和地区都十分重视集成电路产业的推进工作，包括美国、韩国、日本等。美国的集成电路产业在日本崛起之前独步世界，基本采取自由市场的发展方式。随着竞争的加剧，美国、韩国等都在不同阶段越来越重视政府在其中的推动作用。其中，半导体代工制造对于实现成本控制、工艺提高，尤其是对于我国半导体产业的优化与提升有着极其重要的意义。

强调制造工艺创新

我国集成电路制造产业必须抓紧创新，否则将面临着严酷的竞争压力。

我国集成电路制造业无论在投资强度上，还是经济规模上，与美国、日本和韩国等发达国家和地区的差距还十分明显。随着全球集成电路技术和投资的竞争越来越激烈，我国集成电路制造产业的发展必须抓紧创新，否则将面临着严酷的竞争压力，更严重的是，我国要建立的整个集成电路产业发展的自主体系也必将遇到障碍。

中芯国际在这些年的发展中十分重视技术创新，在工艺研发、追赶国际先进水平上做出了不懈的努力。目前，中芯国际正在进行28纳米工艺的产品验证和生产线建设，预计明年年初可以试量产。我们对于28纳米工艺在2013年年底就已基本定型，之所以还没有进入量产，是因为这中间还有一些优化的工作要做。

在国际上，28纳米工艺大体有两条发展路线：多晶硅（PolySiON）和高介电常数金属闸极（HKMG），前者低成本，后者高性能。目前市场上除台积电在高介电常数金属闸极上实现了较高的良品率外，其他厂商的良品率都还不高。如果中芯国际能够通过自身的努力将28纳米高介电常数金属闸工艺也投入量产的话，必将为国内乃至国际客户提供更多的服务。值得一提的是，28纳米工艺节点为长节点，可能会持续5~6年，甚至6~7年的发展时间。抓住这一机遇，企业将可获得良好的商业回报。与此同时，中芯国际还在进行14纳米工艺的研发，预计到2017年可完成该工艺的验证。

除逻辑芯片制造外，中芯国际在存储芯片的工艺制程上也取得突破，日前自主研发的38纳米NAND闪存工艺已经准备就绪，中芯国际也成为国内唯一一家能够为客户生产NAND产品的代工厂。在此之前，中芯国际已经连续开发出了130纳米、65纳米等工艺的特殊NOR闪存平台，其中，55纳米pFlash已经在今年第一季度进入量产，后续中芯国际还将继续研发2x/1xnm NAND、3D NAND等先进工艺。

以服务提升附加价值

集成电路产业正从向用户提供产品和简单服务转变为提供系统解决方案和价值。

在经济全球化深入发展和科技创新孕育新突破的时代背景下，集成电路产业正在朝着全球化、精益化、协同化和服务化的方向发展，未来将实现从“生产型”向“服务型”转变，由“硬能力”建设向“软实力”提升转变，从向用户提供产品和简单服务转变为提供系统解决方案和价值。就单纯的集成电路代工制造业而言，在同质化竞争加剧和个性化需求增多的全球市场环境下，集成电路制造业的高端价值增值环节已经向产品研发设计、运营和维护等服务生命周期转移，提供设计服务、专业化的IP服务、封测服务已经成为集成电路制造领域取得新一轮竞争优势所必需的要素，以服务提升附加价值已经成为全球集成电路制造业的发展趋势。

中芯国际能为客户提供从光罩制造、IP研发及后段辅助设计、晶圆制造到凸块以及最终的封装测试等在内的一站式服务，且十分重视对其中高技术含量的设计服务、IP服务能力的构建。在技术创新方面，到目前为止，中芯国际一共提交了1万余件专利申请，其中在中国提交的专利申请共9267件，在国外提交的专利申请共854件，中国专利授权量已达到4305件。凭借这一优势，中芯国际已经连续5年位居中国IC制造业专利申请数排行榜首位，并连年在国内企业专利发明授权量中名列前十。截止到2013年，中芯国际专利数排名位列第四。

同时，中芯国际也十分注重专利的质量和价值，近年来大幅增加了先进技术在国际上的专利申请。目前28纳米技术的专利申请数已超过1500件，28纳米/20纳米关键节点技术HKMG的专利申请数量由2011年的50名以外跃居2013年世界第八位，16纳米关键节点技术FinFET跃居第十一位。2013年2月1日，中芯国际被纳入2012~2013年度 Ocean Tomo 300专利指数行列，这是工业界首个知识产权价值指数，最终遴选出全球专利价值最高的300家公司上榜。

布局物联网芯片制造

物联网在安防监控、智能交通等领域应用广泛，但行业尚处于起步阶段，其中存在大量机会。

目前，移动互联网快速发展，云计算、大数据、物联网成为下一轮市场增长的关键应用。集成电路制造业的发展要与国家的信息技术产业发展相结合，抓住物联网产业发展的新机遇。物联网应用广泛，目前较为成熟的领域有安防监控、智能交通、智能电网、智能物流等。虽然物联网产业前景广阔，但目前行业还处于起步阶段，其中存在大量机会。

从技术架构上看，物联网可分为感知层、传输层和应用层等，传感器、无线传输芯片、中央处理芯片、存储芯片、电源管理芯片等将被大量应用。企业应当抓住这个产业机会，加快对基础性产品和工艺技术的开发。目前，中芯国际在这些领域都已经参与进来，而且有了一些奠基性的东西。比如正在进行的3D IC制造工艺开发、特殊工艺芯片的制造等，这些都在为物联网进行布局。中芯国际开发出55纳米低功耗嵌入式闪存平台，其制造成品为MCU的重要组件，而低功耗MCU正是物联网不可或缺的。对此，中芯国际正在布局，希望把基础性工作做好。 （本报记者采访整理）