(上海，中国—2011年5月4日)世界领先的纯晶圆代工厂之一，上海华虹NEC电子有限公司(以下简称“华虹NEC”)今日宣布，公司与其技术合作伙伴密切合作开发的1200V Trench NPT IGBT(沟槽类型非穿通绝缘栅双极晶体管)工艺平台成功进入量产，成为国内第一家提供此类工艺代工的8英寸厂家。
在提倡节能减排、低碳经济的当今时代，具备节能效率高、便于规模化生产、较易实现节能智能化等优点的IGBT已成为功率半导体市场发展的主流技术。华虹NEC利用多年0.13um以上CMOS和功率MOSFET的经验，特别是华虹NEC领先的Trench技术，在沟槽的形貌、光滑度和填充等工艺性能稳定，可靠性高，可以很好地满足高端电力电子器件需求的优势，于2009年启动了IGBT技术研究和开发。目前已有多家客户基于华虹NEC 1200V Trench NPT IGBT工艺平台开发产品，具有耐压高、漏电小、通态压降低、米勒电容小、可靠性高等显著优点，多项技术指标已达到业界先进水平。在此基础上，华虹NEC将继续开发更高电压和更大电流的IGBT技术。该技术的产品非常适合用于新能源汽车、家用电器、轨道交通、智能电网、太阳能逆变器等应用领域。
华虹NEC销售与市场副总裁高峰表示：“该项目的成功标志着华虹NEC已成功迈入IGBT代工领域，公司今后还将继续着力扩大该领域业务，吸引、争取更多的合作伙伴。”
在功率分立器件领域，华虹NEC是全球首家提供MOSFET代工服务的8英寸晶圆厂，也是世界上出货量最大的厂家，截至目前，分立器件累计出货超过200万片8寸晶圆。自2009年以来，华虹NEC连续推出了沟槽400-700V高压MOSFET工艺平台和600-700V超级结结构MOSFET。此次推出的1200V IGBT标志着华虹NEC在功率器件领域的又一个突破，同时，华虹NEC正在开发的国际领先的1700V到6500V高功率IGBT工艺平台，预计将在2012年到2013年陆续进入量产。从低压到高压，从MOSFET到IGBT,华虹NEC力争成为功率器件代工领域的领头羊。
（责任编辑：落雪）
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