日本三菱化学及富士电机、丰田中央研究所、京都大学、产业技术综合研究所的联合团队成功解决了在氮化镓(GaN)芯片上形成GaN元件功率半导体关键技术。GaN功率半导体是碳化硅功率半导体的下一代技术。日本通过发光二极管的开发积累了GaN元件技术，GaN芯片生产量占据世界最高份额。若做到现有技术的实用化，将处于世界优势地位。
功率半导体有利于家电、汽车、电车等的节能，产业需求很大。GaN功率半导体中，硅基板上形成横型GaN系的高电子迁移率晶体管等设备已经量产，但是，GaN基板上形成GaN的金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)高性能设备的研究刚刚起步。美国也在积极研究，世界开发竞争激烈。
日联合团队制作了高质量2英寸GaN芯片和MOSFET。三菱化学面向功率半导体改良了GaN芯片量产技术“氨热热法”。优化晶体成长条件，将芯片平均缺陷密度，减少到以往的数百分之一、每1平方厘米数千个水平。他们2018年度目标是使缺陷进一步降低1位数以上，实现4英寸大尺寸芯片。
富士电机等制作的MOSFET，元件性能指标之一的移动度比碳化硅功率半导体高，确保了实际工作所必要的正阈值电压。GaN的MOSFET兼有这些特性为首例。丰田中央研究所通过新离子注入法试制成功了GaN的pn结。
“新一代功率电子工业”为日内阁府发展战略性创新创造计划的一环。今后，日研究团队将从芯片到元件形成、加工技术、基础物性的解读等各个方面入手，检验其实用性，特别要将元件纵型制作，以便通过大电流。
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3月5日，第十三届全国人民代表大会第四次会议在北京人民大会堂开幕。党和国家领导人习近平、李克强、汪洋、王沪宁、赵乐际、韩正、王岐山等出席，栗战书主持大会。初春的北京，处处生机盎然。第十三届全国人民代表大会第四次会议5日上午在人民大会堂开幕。近3000名全国人大代表肩负人民重托出席大会，认真履行宪法和法律赋予的神圣职责。
12月28-29日，全国工业和信息化工作会议在京召开。会议以习近平新时代中国特色社会主义思想为指导，全面贯彻党的十九大和十九届二中、三中、四中、五中全会精神，认真落实习近平总书记重要指示批示精神和中央经济工作会议部署，总结2020年工业和信息化工作，分析形势，部署2021年重点工作。工业和信息化部党组书记、部长肖亚庆作工作报告。
3月22日，中国电子信息产业发展研究院发布了《2020年中国家电市场报告》（以下简称《报告》）。《报告》显示，2020年，我国家电市场零售额规模达到8333亿元，在疫情冲击之下显示出较强的韧性；电商渠道对家电零售的贡献率首次超过50%，网络零售对家电消费的促进作用进一步提升；高端产品、生活家电大幅增长，有效促进了消费升级和产业转型。
11月20日，由工业和信息化部、安徽省人民政府共同主办的2020世界显示产业大会在合肥市举行。在开幕式上，工业和信息化部部长肖亚庆、韩国驻华大使张夏成发表视频致辞。安徽省委副书记、省长李国英，工业和信息化部副部长王志军出席开幕式并致辞。
11月2日，由工业和信息化部、国家广播电视总局、中央广播电视总台、广东省人民政府共同主办的2020世界超高清视频(4K/8K)产业发展大会在广州市召开。广东省委书记李希出席开幕式，省长马兴瑞出席并致辞。国家广播电视总局局长聂辰席、工业和信息化部副部长王志军、中央广播电视总台副台长蒋希伟出席开幕式并致辞。
10月19日—20日，由工业和信息化部、江西省人民政府主办的2020世界VR产业大会云峰会在南昌举行。在10月19日的开幕式上，中共中央政治局委员、国务院副总理刘鹤发来书面致辞。江西省委常委、南昌市委书记吴晓军，工业和信息化部副部长王志军，江西省委书记、省人大常委会主任刘奇先后致辞。开幕式由江西省委副书记、省长易炼红主持。
