3D工艺众说纷纭

英特尔：Fabless模式或到穷途末路

4月26日英特尔制程技术部门的主管Mark Bohr在Ivy Bridge处理器发布会上指出，Fabless(无晶圆厂)半导体经营模式已经快到穷途末路。他认为，台积电最近宣布只会提供一种20纳米制程，就是一种承认失败的表示，显然他们无法在下一个主流制程节点提供如3D电晶体所需的减少泄漏电流的工艺技术。同时，高通不能使用台积电22纳米的制程技术，晶圆代工模式正在崩塌。

Bohr认为，此次Ivy Bridge处理器能够研发成功，其秘诀之一就是来自于制程技术与晶片设计者之间的紧密关系，而这只有在IDM模式的工厂中才能实现。英特尔客户端PC事业群新任总经理Kirk Skaugen、Bohr和负责Ivy Bridge处理器的专案经理Brad Heaney在主持问答会时一同做出了上述表示。“IDM模式制造产品，确实有助于我们解决生产Ivy Bridge这样一款小尺寸、复杂元件时所遭遇的问题。”

据报道，当下，业界也有不少人持类似这种观点。EETimes美国版中有不少文章谈到晶片设计业者与制程技术提供者之间，需要有更紧密的合作关系。一位来自Nvidia实体设计部门的负责人最近在Mentor Graphics的年度会，也强调了相同的论点。

台积电：3D架构在14纳米之前并非必要

据报道，台积电与GlobalFoundries的研发主管提出了很有说服力的研发数据例子，证明3D电晶体架构在14纳米制程节点之前并非必要。台积电表示，20纳米节点并没有足够的回旋空间来创造高性能制程与低耗电制程之间的明显变化。

对于台积电的20纳米制程计划，高通不发表评论。但高通在最近财务季报发表会上表示，该公司无法得到台积电足够的28纳米制程产能以因应其需求，目前正寻求多个新代工来源，并预期能在今年稍晚正式进行28纳米制造工艺委托下单。

ARM：3D晶体管不会改变产业格局

ARM公司的吴雄昂认为，英特尔3D晶体管不会改变产业格局。吴雄昂说，FinFet/3D晶体管技术的开发涉及业界多家企业，该创新并不是英特尔独有的。业界将在下一代产品中逐渐采用该技术，到那时该技术会被应用于SoC设计。所以英特尔3D晶体管并不会给消费电子或者移动产品市场的竞争带来变化。整个ARM生态系统在22纳米节点上非常积极，并已经开始投身20纳米，而ARM也在积极开发针对这些节点的IP。

在消费电子和移动产品领域，使用较之服务器和台式电脑晚一代的工艺技术并不是一件新鲜事。但是在消费电子和移动产品领域，由于其市场规模以及产品价格的因素，一个成本、性能和功耗的最佳组合非常重要，代工厂的生产能力也非常重要。

3D工艺技术在最初的几代产品中需要设计与制造之间紧密合作，探索完善设计流程。因此，暂不适用于高度集成的移动片上系统设计，而此系统设计目前正在推动着广泛的半导体行业内的创新。

吴雄昂指出，英特尔的这一技术与他们在工艺上的创新相一致。而ARM的创新则来自于生态系统，涵盖工艺、微架构和片上系统(SoC)设计等多方面。

IBM:寻求材料解决散热问题

IBM公司正在保密情况下进行一种以更为成熟的3D技术进行IC产品的批量生产，其3D技术使用的是低密度硅通孔技术。据报道，该项技术目前的主要问题是散热问题，预计在2012年底前解决这些问题。

另据报道，IBM已经与3M公司合作，寻求一种材料来解决3D IC生产中面临的散热技术问题。3M的任务是创造一种适合堆叠裸片间使用的底部填充材料，这是一种电气绝缘材料(像电介质)，导热性比硅要好(像金属)。“现在我们正在做试验，到2013年希望开始广泛的商用。”3M公司电子市场材料事业部技术总监陈明说。

“拥有一技之长的年代已经过去。”IBM公司研究副总裁Bernard Meyerson表示，如果仅依靠材料或芯片架构或网络架构或软件和集成，就可能无法赢得3D竞争。要想打赢这场战争，则需要尽可能全面地使用所有资源。